埃及学者开发半导体材料有成 获颁我国外侨永久居留证
林财荣主任(右2)颁发梅花卡给安莫博士(左2)。(记者吴升儒翻摄)
〔记者吴升儒/新北报导〕埃及学者安莫(Amr)于2014年来到我国,攻读清华大学化学博士学位,并进入中央研究院和台湾大学先进材料实验室从事研究。多年来专注于开发新型半导体材料,致力于提升这些材料的性能、耐久性和效率。近日安莫博士以「我国所需之高级专业人才」通过审查,获颁外侨永久居留证(梅花卡)。
移民署新北市服务站林财荣主任指出,安莫博士曾在塔宾冶金研究学院,担任物理冶金领域研究助理;他的研究兴趣广泛,涵盖化学和材料科学等领域,对高级材料的研究充满热情,曾代表我国参加全球青年科学家峰会。
安莫博士他透过研究人工光合作用,利用太阳能将二氧化碳进行光还原,合成有价值的化学物质,并应用于半导体材料。该研究将温室气体二氧化碳转化为有价值的碳氢化合物,其量子效率达到了 0.8%,并获得该领域研究高度引用。成就已获得国际纯化学与应用化学联合会(International Union of Pure and Applied Chemistry, IUPAC)认可。这项研究成果对我国工业发展带来潜在深远的影响,使我国在电子、电池及可再生能源等领域,推动重大技术革新,为干净能源提供解决方案并实现永续发展目标。
林主任表示,外侨永久居留证(梅花卡)是专门对我国有贡献的外籍业人才、特殊专业人才及投资移民设计,申请条件较严格,但核准后,申请人可立即获得永久居留资格;有鉴于安莫博士对台贡献,故颁发梅花卡给他。安莫博士也表示:「我很感激能有机会为这个美好的国家做出贡献!」
安莫博士研究人工光合作用转换成半导体材料。(当事人提供)
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